المنتجات الرئيسية
| APSEMI PN |
APV217G2E |
|---|---|
| الدائرة |
1 النموذج A(SPST-NO) |
| الوصف |
SSR RELAY SPST-NO 2A 150V, DIP-6 |
| تيار الحمل |
2.0A |
| نوع التركيب |
Through Hole |
| المقاومة على الحالة (الحد الأقصى) |
0.12Ω |
| نوع الإخراج |
AC, DC |
| الحزمة |
DIP-6 |
| التعبئة والتغليف |
Tube |
| السلسلة |
مرحلات الحالة الصلبة MOS الضوئية |
| إيقاف التشغيل |
350 س |
| التشغيل |
250 س |
| الجهد-المدخلات |
1.2 ~ 1.4VDC |
| الجهد - الحمل |
0V~150V |
Specifications & Application Scenarios
Specifications: The APV217G2E is a high-current, low-loss PhotoMOS SSR in a DIP-6 package. This 1 Form A (SPST-NO) device is rated for 2.0A at 150V AC/DC. It features an ultra-low 0.12惟 on-state resistance, provides 5000Vrms isolation, and switches with 250渭s (on) and 350渭s (off) times. It operates from -40掳C to 85掳C with 1.2-1.4VDC input. Application Scenarios: Engineered for high-efficiency switching of substantial loads. Perfect for driving high-power solenoids, contactors, small motors, or LED arrays in industrial automation, power management systems, stage lighting, and automotive test benches. The low on-resistance minimizes heat, and the DIP package facilitates good thermal performance in high-current applications.
المنتجات ذات الصلة
العنوان::
17F، المبنى الصناعي الشمالي، رقم 3003 طريق شينان، منطقة فوتيان، شينزين، الصين
تل :
+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558
البريد الإلكتروني:البريد الإلكتروني
apsemi@a-semi.com
sales@a-semi.com
design@a-semi.com
©2026 APSEMI co.,ltd.