APSEMI PN

APV217G2E

الدائرة

1 النموذج A(SPST-NO)

الوصف

SSR RELAY SPST-NO 2A 150V, DIP-6

تيار الحمل

2.0A

نوع التركيب

Through Hole

المقاومة على الحالة (الحد الأقصى)

0.12Ω

نوع الإخراج

AC, DC

الحزمة

DIP-6

التعبئة والتغليف

Tube

السلسلة

مرحلات الحالة الصلبة MOS الضوئية

إيقاف التشغيل

350 س

التشغيل

250 س

الجهد-المدخلات

1.2 ~ 1.4VDC

الجهد - الحمل

0V~150V

Specifications & Application Scenarios

Specifications: The APV217G2E is a high-current, low-loss PhotoMOS SSR in a DIP-6 package. This 1 Form A (SPST-NO) device is rated for 2.0A at 150V AC/DC. It features an ultra-low 0.12惟 on-state resistance, provides 5000Vrms isolation, and switches with 250渭s (on) and 350渭s (off) times. It operates from -40掳C to 85掳C with 1.2-1.4VDC input. Application Scenarios: Engineered for high-efficiency switching of substantial loads. Perfect for driving high-power solenoids, contactors, small motors, or LED arrays in industrial automation, power management systems, stage lighting, and automotive test benches. The low on-resistance minimizes heat, and the DIP package facilitates good thermal performance in high-current applications.

المنتجات ذات الصلة

العنوان::

17F، المبنى الصناعي الشمالي، رقم 3003 طريق شينان، منطقة فوتيان، شينزين، الصين

تل :

+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558

البريد الإلكتروني:البريد الإلكتروني

apsemi@a-semi.com
sales@a-semi.com
design@a-semi.com

©2026 APSEMI co.,ltd.