Modèle

AC3M0021120K

Description

SiC MOSFET N-CH 1200V 102A TO-247-4

Série

Silicon Carbide

FET Type

N-Channel

DrainVoltage(Vdss)

1200V

Current

102A

Drive Voltage

15V

Vgs (Max)

-8V, +19V

Rds On

21mΩ

Vgs(th)

2.5V

Gate Charge (Qg)

160 nC

Input Capacitance (Ciss)

1620 pF

Power Dissipation

472W

Température de fonctionnement (℃)

-40°C ~ 175°C

Type de montage

Trou de passage

Paquet

TO-247-4

Specifications & Application Scenarios

Produits apparentés

ADDRESS:

17F, North Industrial Building, No. 3003 Shennan Road, Futian District, Shenzhen, Chine

TEL:

+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558

E-mail:

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