| Model |
AC2M0280120D |
|---|---|
| Description |
SiC MOSFET N-CH 1200V 11A TO-247-3 |
| Series |
Silicon Carbide |
| FET Type |
N-Channel |
| DrainVoltage(Vdss) |
1200V |
| Current |
11A |
| Drive Voltage |
20V |
| Vgs (Max) |
+25V, -10V |
| Rds On |
320mΩ |
| Vgs(th) |
3.1V |
| Gate Charge (Qg) |
17 nC |
| Input Capacitance (Ciss) |
210 pF |
| Power Dissipation |
69W |
| Nhiệt độ hoạt động (℃) |
-55°C ~ 150°C |
| Mounting Type |
Through Hole |
| Gói |
TO-247-3 |
Specifications & Application Scenarios
Related products
ĐỊA CHỈ：
Tầng 17, Tòa nhà Công nghiệp Bắc, Số 3003 Đường Shennan, Quận Futian, Thâm Quyến, Trung Quốc
Điện thoại：
+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558
Email：
apsemi@a-semi.com
sales@a-semi.com
design@a-semi.com
©2026 APSEMI Công ty TNHH