الطراز

AC2M002512020D

الوصف

SiC MOSFET N-CH 1200V 94A TO-247-3

السلسلة

Silicon Carbide

FET Type

N-Channel

جهد التصريف (Vdss)

1200V

الحالي

94A

جهد المحرك

20V

Vgs (Max)

+25V, -10V

تشغيل Rds على

25 مترًا مكعبًا

Vgs(th)

2.6V

Gate Charge (Qg)

192 nC

سعة الإدخال (Ciss)

3086 pF

تبديد الطاقة

380W

درجة حرارة التشغيل (℃)

-55°C ~ 150°C

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة

تو-247-3

Specifications & Application Scenarios

المنتجات ذات الصلة

العنوان::

17F، المبنى الصناعي الشمالي، رقم 3003 طريق شينان، منطقة فوتيان، شينزين، الصين

تل :

+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558

البريد الإلكتروني:البريد الإلكتروني

apsemi@a-semi.com
sales@a-semi.com
design@a-semi.com

©2026 APSEMI co.,ltd.