الطراز

AC3M0025065K

الوصف

SiC MOSFET N-CH 650V 98A TO-247-4

السلسلة

Silicon Carbide

FET Type

N-Channel

جهد التصريف (Vdss)

650V

الحالي

98A

جهد المحرك

15V

Vgs (Max)

+19V, -8V

تشغيل Rds على

25 مترًا مكعبًا

Vgs(th)

2.3V

Gate Charge (Qg)

110 nC

سعة الإدخال (Ciss)

2622 pF

تبديد الطاقة

330W

درجة حرارة التشغيل (℃)

-40°C ~ 175°C

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة

TO-247-4

Specifications & Application Scenarios

المنتجات ذات الصلة

العنوان::

17F، المبنى الصناعي الشمالي، رقم 3003 طريق شينان، منطقة فوتيان، شينزين، الصين

تل :

+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558

البريد الإلكتروني:البريد الإلكتروني

apsemi@a-semi.com
sales@a-semi.com
design@a-semi.com

©2026 APSEMI co.,ltd.