| الطراز |
AC4D20120A |
|---|---|
| الوصف |
SIC SCHOTTKY DIODES,1200V,20A,TO-220-2 |
| Technology |
SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| الحزمة |
TO-220-2 |
| Reverse Voltage (Vrrm) | |
| Continuous Forward Current (IF) | |
| Forward Voltage (VF) |
1.5 V |
| Max Power Dissipation |
250 W |
| Capacitance Charge (QC) |
99 nC |
| Operating Temperature (°C) |
-55°C ~ 175°C |
| نوع التركيب |
Through Hole |
Specifications & Application Scenarios
Specifications: The AC4D20120A is a 1200V, 20A SiC Schottky diode in the compact TO-220-2 package. It offers V_F=1.5V, P_TOT=250W, and Q_C=99nC. It brings high-voltage performance to a smaller form factor.
Application Scenarios: For space-constrained high-voltage designs. Used in compact solar optimizers, drone charger circuits, and high-density power modules. Maximizes power density.
المنتجات ذات الصلة
العنوان:：
17F، المبنى الصناعي الشمالي، رقم 3003 طريق شينان، منطقة فوتيان، شينزين، الصين
تل ：
+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558
البريد الإلكتروني：البريد الإلكتروني
apsemi@a-semi.com
sales@a-semi.com
design@a-semi.com
©2026 APSEMI co.,ltd.