APSEMI PN

APV259AE

الدائرة

1 النموذج A(SPST-NO)

الوصف

SiC SSR RELAY SPST-NO 30mA 1200V, DIP-6

تيار الحمل

30 مللي أمبير

نوع التركيب

Through Hole

المقاومة على الحالة (الحد الأقصى)

85Ω

نوع الإخراج

AC, DC

الحزمة

DIP-6

التعبئة والتغليف

Tube

السلسلة

مرحلات الحالة الصلبة MOS الضوئية

إيقاف التشغيل

20ص

التشغيل

250 س

الجهد-المدخلات

1.1 ~ 1.5VDC

الجهد - الحمل

0V~1200V

Specifications & Application Scenarios

Specifications: The APV259AE is a high-voltage Silicon Carbide (SiC) PhotoMOS SSR in a DIP-6 through-hole package. It is a 1 Form A (SPST-NO) relay capable of switching up to 1200V AC/DC with a 30mA current rating. It has an 85Ω on-state resistance, provides 5000Vrms isolation, and switches with 250μs (turn-on) and a fast 20μs (turn-off) time. It is designed for harsh environments with an operating range of -40°C to 85℃ and is controlled by 1.1-1.5VDC. Application Scenarios: Targeting high-voltage, low-current applications that demand the superior reliability and performance of SiC technology. Ideal for medical equipment like electrosurgical units, high-voltage power supply control and monitoring, industrial insulation testers, photomultiplier tube and CRT anode supplies, and any application where high breakdown voltage, fast switching, and long-term stability at extreme potentials are critical.

المنتجات ذات الصلة

العنوان::

17F، المبنى الصناعي الشمالي، رقم 3003 طريق شينان، منطقة فوتيان، شينزين، الصين

تل :

+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558

البريد الإلكتروني:البريد الإلكتروني

apsemi@a-semi.com
sales@a-semi.com
design@a-semi.com

©2026 APSEMI co.,ltd.