ОСНОВНЫЕ ПРОДУКТЫ
| Модель |
AC3M0016120D |
|---|---|
| Описание |
SiC MOSFET N-CH 1200V 117A TO-247-3 |
| Серия |
Silicon Carbide |
| FET Type |
N-Channel |
| DrainVoltage(Vdss) |
1200V |
| Current |
117A |
| Drive Voltage |
15V |
| Vgs (Max) |
-8V, +19V |
| Rds On |
16mΩ |
| Vgs(th) |
2.5V |
| Gate Charge (Qg) |
207 nC |
| Input Capacitance (Ciss) |
6085 pF |
| Power Dissipation |
556W |
| Рабочая температура (℃) |
-40°C ~ 175°C |
| Тип крепления |
Through Hole |
| Пакет |
TO-247-3 |
Specifications & Application Scenarios
Сопутствующие товары
АДРЕС:
17F, North Industrial Building, No. 3003 Shennan Road, Futian District, Shenzhen, China
TEL:
+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558
Электронная почта:
apsemi@a-semi.com
sales@a-semi.com
design@a-semi.com
©2026 APSEMI CO., LTD