Model

AC3M0065100K

Description

SiC MOSFET N-CH 1000V 33A TO-247-4

Series

Silicon Carbide

FET Type

N-Channel

DrainVoltage(Vdss)

1000V

Current

33A

Drive Voltage

15V

Vgs (Max)

+19V, -8V

Rds On

65mΩ

Vgs(th)

2.1V

Gate Charge (Qg)

33 nC

Input Capacitance (Ciss)

710 pF

Power Dissipation

115W

Nhiệt độ hoạt động (℃)

-55°C ~ 150°C

Mounting Type

Through Hole

Gói

TO-247-4

Specifications & Application Scenarios

Related products

ĐỊA CHỈ:

Tầng 17, Tòa nhà Công nghiệp Bắc, Số 3003 Đường Shennan, Quận Futian, Thâm Quyến, Trung Quốc

Điện thoại:

+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558

Email:

apsemi@a-semi.com
sales@a-semi.com
design@a-semi.com

©2026 APSEMI Công ty TNHH