| Model | |
|---|---|
| Description |
SIC, SCHOTTKY DIODE, 60A, 1200V, |
| Series |
SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr)(Max) |
1200 V |
| Reverse Leakage Current |
30 µA |
| Current-Average Rectified (Io) |
170A |
| Voltage-Forward (Vf) (Max) @If |
1.62 V |
| Capacitance |
4750pF |
| Mounting Type |
Through Hole |
| Package |
TO-247-3 |
Related products
ĐỊA CHỈ：
Tầng 17, Tòa nhà Công nghiệp Bắc, Số 3003 Đường Shennan, Quận Futian, Thâm Quyến, Trung Quốc
Điện thoại：
+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558
Email：
apsemi@a-semi.com
sales@a-semi.com
design@a-semi.com
©2026 APSEMI Công ty TNHH