专注于化合物半导体的研发和生产

- APSEMI®-

为工业物联网、智能终端、智慧城市、新能源、汽车电子和其他物联网应用提供高效率、高性价比的半导体芯片产品和解决方案

材料研发团队

化合物半导体

芯片设计团队

霍尔传感器
光耦合器
功率半导体

半导体包装

TO247-2/3/4 SOP4/8/16 SMD4/6/8 DIP4/6/8
SOT-227 SOT23 TO92 DFN SIP ZIP

可靠性测试

ISO9001 和 IATF16949

- 产品 特点

PHOTO DMOSRELAY

-可靠性高: 稳定的导通电阻阻抗

-高绝缘性: 隔离电压可超过 5KV。.

-使用寿命长: 无机械触点,无开关磨损。.

-高运行速度: 工作/释放时间约为 0.3 毫秒。.

-其他优点 体积小、功耗低、漏电流小、无反弹、无噪音。.

SiC MOSFET & Schottky Diodes

(SiC) MOSFETs enable higher switching frequencies and reduce the size of components like inductors, capacitors, filters & transformers. Pairing SiC diodes with SiC MOSFETs creates a powerful combination of higher efficiency.SiC MOSFETs replace silicon devices to enable lower switching and conduction losses with higher blocking voltages and avalanche capability. Personal computers and other electronic equipment constantly lose power when they operate. Power loss can be kept low by using high performance power semiconductors. High performance power semiconductor can realize saving energy for not only Personal Computers, but also Smartphones, Automotive application, Trains, and Electrical substations.

(砷化镓/锑化铟)电荷元件

砷化镓(GaAs)霍尔元件: 具有许多关键优势,包括高灵敏度、低温漂、零磁滞、磁场线性工作范围高达 2T 以及其他优异特性。. 

锑化铟(InSb)霍尔元件: 具有超高灵敏度,但其温度特性不如砷化镓霍尔元件。因此,通常使用恒压驱动来确保更稳定的温度特性,使其适用于直流无刷电机和闭环电流传感器。.

光耦合器

-出色的电气隔离性能: 输入/输出端子之间完全电气隔离。.

-信号单向传输: 有效阻断电路与系统之间的连接,完成信号传输。.

-抗干扰能力强: 确保信号在传输过程中不受电磁干扰。.

-快速响应速度: 毫秒级响应速度,减少信号衰减。.

-简单电路设计 更容易匹配各种逻辑电路。.

- 产品 特点

垂直整合模式(IDM)

从芯片设计到制造

化合物半导体材料和芯片的研发

(硅功率半导体、砷化镓和铟硒铜霍尔元件)

定制芯片设计服务

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