الطراز

AC4D12120A

الوصف

SIC SCHOTTKY DIODES,1200V,12A,TO-220-2

Technology

SiC (Silicon Carbide) Schottky

الحزمة

TO-220-2

Reverse Voltage (Vrrm)

Continuous Forward Current (IF)

Forward Voltage (VF)

1.35 V

Max Power Dissipation

166.5 W

Capacitance Charge (QC)

52 nC

Operating Temperature (°C)

-55°C ~ 175°C

نوع التركيب

Through Hole

Specifications & Application Scenarios

Specifications: The AC4D12120A is a 12A, 1200V SiC Schottky diode in TO-220-2. It features a low V_F of 1.35V, P_TOT of 166.5W, and Q_C of 52nC. The low V_F is notable for reducing conduction losses. Application Scenarios: For applications where conduction loss is critical. Ideal in high-duty-cycle circuits like certain PFC stages and DC/DC converters. Maximizes system efficiency.

المنتجات ذات الصلة

العنوان::

17F، المبنى الصناعي الشمالي، رقم 3003 طريق شينان، منطقة فوتيان، شينزين، الصين

تل :

+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558

البريد الإلكتروني:البريد الإلكتروني

apsemi@a-semi.com
sales@a-semi.com
design@a-semi.com

©2026 APSEMI co.,ltd.