APSEMI PN

APV215G2E

الدائرة

1 النموذج A(SPST-NO)

الوصف

SSR RELAY SPST-NO 2A 100V, DIP-6

تيار الحمل

2.0A

نوع التركيب

Through Hole

المقاومة على الحالة (الحد الأقصى)

0.15Ω

نوع الإخراج

AC, DC

الحزمة

DIP-6

التعبئة والتغليف

Tube

السلسلة

مرحلات الحالة الصلبة MOS الضوئية

إيقاف التشغيل

350 س

التشغيل

1000 س

الجهد-المدخلات

1.2 ~ 1.4VDC

الجهد - الحمل

0V~100V

Specifications & Application Scenarios

Specifications: The APV215G2E is a high-current PhotoMOS SSR in a DIP-6 package. This 1 Form A (SPST-NO) device is rated for 2.0A at 100V AC/DC. It features a low 0.15惟 on-state resistance, provides 5000Vrms isolation, and has switching times of 1000渭s (on) and 350渭s (off). It operates from -40掳C to 85掳C with 1.2-1.4VDC input. Application Scenarios: Suited for applications requiring robust, high-current switching with controlled turn-on. The slower turn-on helps limit inrush current, making it ideal for driving inductive loads like motor starters, transformers, or capacitive loads. Applications include industrial motor control, power supply soft-start circuits, and high-power actuator drives, benefiting from the thermal mass of the DIP package.

المنتجات ذات الصلة

العنوان::

17F، المبنى الصناعي الشمالي، رقم 3003 طريق شينان، منطقة فوتيان، شينزين، الصين

تل :

+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558

البريد الإلكتروني:البريد الإلكتروني

apsemi@a-semi.com
sales@a-semi.com
design@a-semi.com

©2026 APSEMI co.,ltd.