APSEMI PN

APV278WE

الدائرة

1 النموذج A(SPST-NO)

الوصف

SiC SSR RELAY SPST-NO 30mA 1800V, WDIP-4

تيار الحمل

30 مللي أمبير

نوع التركيب

Through Hole

المقاومة على الحالة (الحد الأقصى)

200Ω

نوع الإخراج

AC, DC

الحزمة

WDIP-4

التعبئة والتغليف

Tube

السلسلة

مرحلات الحالة الصلبة MOS الضوئية

إيقاف التشغيل

50ص

التشغيل

80us

الجهد-المدخلات

1.33 ~ 1.5VDC

الجهد - الحمل

0V~1800V

Specifications & Application Scenarios

Specifications: The APV278WE is a high-voltage, Silicon Carbide (SiC) based PhotoMOS solid-state relay in a WDIP-4 (Wide DIP) package. It is a 1 Form A (SPST-NO) device designed for ultra-high voltage, low-current switching, rated for 30mA at 1800V AC/DC. It features a 200惟 on-state resistance, provides 5000Vrms of robust isolation, and offers fast 80渭s/50渭s switching. Operating from -40掳C to 85掳C, it is controlled by a 1.33-1.5VDC input. Application Scenarios: This SiC relay is engineered for extreme high-voltage isolation applications requiring reliability and performance. It is ideal for medical imaging systems (CT/PET scanners), high-voltage power supplies, industrial test and measurement equipment for dielectric strength testing, X-ray generator control, and scientific instrumentation. The WDIP-4 package offers a wider pin spacing, enhancing creepage and clearance for improved high-voltage safety in through-hole designs.

المنتجات ذات الصلة

العنوان::

17F، المبنى الصناعي الشمالي، رقم 3003 طريق شينان، منطقة فوتيان، شينزين، الصين

تل :

+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558

البريد الإلكتروني:البريد الإلكتروني

apsemi@a-semi.com
sales@a-semi.com
design@a-semi.com

©2026 APSEMI co.,ltd.