Modelo

AC3M0015065D

Descrição

SiC MOSFET N-CH 650V 122A TO-247-3

Série

Silicon Carbide

FET Type

N-Channel

DrainVoltage(Vdss)

650V

Current

122A

Drive Voltage

15V

Vgs (Max)

-8V, +19V

Rds On

15mΩ

Vgs(th)

2.4V

Gate Charge (Qg)

190 nC

Input Capacitance (Ciss)

4960 pF

Power Dissipation

420W

Temperatura de funcionamento (℃)

-40°C ~ 175°C

Tipo de montagem

Furo passante

Embalagem

TO-247-3

Specifications & Application Scenarios

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ENDEREÇO:

17F, North Industrial Building, No. 3003 Shennan Road, Futian District, Shenzhen, China

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