Модель

AC3M0075120K

Описание

SiC MOSFET N-CH 1200V 33A TO-247-4

Серия

Silicon Carbide

FET Type

N-Channel

DrainVoltage(Vdss)

1200V

Current

33A

Drive Voltage

15V

Vgs (Max)

+19V, -8V

Rds On

75mΩ

Vgs(th)

2.5V

Gate Charge (Qg)

51 nC

Input Capacitance (Ciss)

1305 pF

Power Dissipation

136W

Рабочая температура (℃)

-40°C ~ 175°C

Тип крепления

Through Hole

Пакет

TO-247-4

Specifications & Application Scenarios

Сопутствующие товары

АДРЕС:

17F, North Industrial Building, No. 3003 Shennan Road, Futian District, Shenzhen, China

TEL:

+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558

Электронная почта:

apsemi@a-semi.com
sales@a-semi.com
design@a-semi.com

©2026 APSEMI CO., LTD