الحزمة:
Reverse Voltage (Vrrm):
Continuous Forward Current (IF)​:
Max Power Dissipation:

الحزمة

Continuous Forward Current (IF)​

Capacitance Charge (QC)

Operating Temperature (°C)

AC3D12065A

SiC (Silicon Carbide) Schottky
TO-220-2
650 V
12 A
1.5 V
143 W
34 nC
-55°C ~ 175°C

AC3D16060D

SiC (Silicon Carbide) Schottky
تو-247-3
600 V
16 A
1.5 V
100 W
20 nC
-55°C ~ 175°C

AC3D16065A

SiC (Silicon Carbide) Schottky
TO-220-2
650 V
16 A
1.5 V
150 W
44.5 nC
-55°C ~ 175°C

AC3D16065D

SiC (Silicon Carbide) Schottky
تو-247-3
650 V
16 A
1.5 V
100 W
20 nC
-55°C ~ 175°C

AC3D20060D

SiC (Silicon Carbide) Schottky
تو-247-3
600 V
20 A
1.5 V
136.5 W
24 nC
-55°C ~ 175°C

AC3D20065A

SiC (Silicon Carbide) Schottky
TO-220-2
650 V
20 A
1.5 V
249 W
24 nC
-55°C ~ 175°C

AC3D20065D

SiC (Silicon Carbide) Schottky
تو-247-3
650 V
20 A
1.5 V
231 W
24 nC
-55°C ~ 175°C

AC3D25170H

SiC (Silicon Carbide) Schottky
TO-247-2
1700 V
26.3 A
1.8 V
377 W
230 nC
-55°C ~ 175°C

AC3D30065A

SiC (Silicon Carbide) Schottky
TO-220-2
650 V
30 A
1.45 V
150 W
44.5 nC
-55°C ~ 175°C

AC3D30065D

SiC (Silicon Carbide) Schottky
تو-247-3
650 V
30 A
1.45 V
150 W
44.5 nC
-55°C ~ 175°C

AC3D50170H

SiC (Silicon Carbide) Schottky
TO-247-2
1800 V
50 A
1.65 V
100 W
158 nC
-55°C ~ 175°C

AC4D02120A

SiC (Silicon Carbide) Schottky
TO-220-2
1200 V
2 A
1.4 V
60 W
11 nC
-55°C ~ 175°C

العنوان::

17F، المبنى الصناعي الشمالي، رقم 3003 طريق شينان، منطقة فوتيان، شينزين، الصين

تل :

+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558

البريد الإلكتروني:البريد الإلكتروني

apsemi@a-semi.com
sales@a-semi.com
design@a-semi.com

©2026 APSEMI co.,ltd.