| Modelo |
AC3M0065100K |
|---|---|
| Descrição |
SiC MOSFET N-CH 1000V 33A TO-247-4 |
| Série |
Silicon Carbide |
| FET Type |
N-Channel |
| DrainVoltage(Vdss) |
1000V |
| Current |
33A |
| Drive Voltage |
15V |
| Vgs (Max) |
+19V, -8V |
| Rds On |
65mΩ |
| Vgs(th) |
2.1V |
| Gate Charge (Qg) |
33 nC |
| Input Capacitance (Ciss) |
710 pF |
| Power Dissipation |
115W |
| Temperatura de funcionamento (℃) |
-55°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem |
Furo passante |
| Embalagem |
TO-247-4 |
Specifications & Application Scenarios
Produtos relacionados
ENDEREÇO：
17F, North Industrial Building, No. 3003 Shennan Road, Futian District, Shenzhen, China
TEL：
+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558
E-mail：
apsemi@a-semi.com
sales@a-semi.com
design@a-semi.com
©2026 APSEMI CO.,LTD