Модель

AC2M1000170D

Описание

SiC MOSFET N-CH 1700V 6A TO-247-3

Серия

Silicon Carbide

FET Type

N-Channel

DrainVoltage(Vdss)

1700V

Current

6A

Drive Voltage

20V

Vgs (Max)

+25V, -10V

Rds On

800mΩ

Vgs(th)

2.8V

Gate Charge (Qg)

20 nC

Input Capacitance (Ciss)

160 pF

Power Dissipation

69W

Рабочая температура (℃)

-55°C ~ 150°C

Тип крепления

Through Hole

Пакет

TO-247-3

Specifications & Application Scenarios

Сопутствующие товары

АДРЕС:

17F, North Industrial Building, No. 3003 Shennan Road, Futian District, Shenzhen, China

TEL:

+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558

Электронная почта:

apsemi@a-semi.com
sales@a-semi.com
design@a-semi.com

©2026 APSEMI CO., LTD