الطراز

AC3M0016120K

الوصف

SiC MOSFET N-CH 1200V 117A TO-247-4

السلسلة

Silicon Carbide

FET Type

N-Channel

جهد التصريف (Vdss)

1200V

الحالي

117A

جهد المحرك

15V

Vgs (Max)

-8V, +19V

تشغيل Rds على

16mΩ

Vgs(th)

2.9V

Gate Charge (Qg)

216 nC

سعة الإدخال (Ciss)

6085 ف فولت فلوري

تبديد الطاقة

555W

درجة حرارة التشغيل (℃)

-40°C ~ 175°C

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة

تو-247-3

Specifications & Application Scenarios

المنتجات ذات الصلة

العنوان::

17F، المبنى الصناعي الشمالي، رقم 3003 طريق شينان، منطقة فوتيان، شينزين، الصين

تل :

+86-755-83-666-556
+86-755-83-666-557
+86-755-83-666-558

البريد الإلكتروني:البريد الإلكتروني

apsemi@a-semi.com
sales@a-semi.com
design@a-semi.com

©2026 APSEMI co.,ltd.