Modelo

AC3M0120100K

Descrição

SiC MOSFET N-CH 1000V 24A TO-247-4

Série

Silicon Carbide

FET Type

N-Channel

DrainVoltage(Vdss)

1000V

Current

24A

Drive Voltage

15V

Vgs (Max)

-8V, +19V

Rds On

120mΩ

Vgs(th)

2.1V

Gate Charge (Qg)

20 nC

Input Capacitance (Ciss)

366 pF

Power Dissipation

92W

Temperatura de funcionamento (℃)

-55°C ~ 150°C

Tipo de montagem

Furo passante

Embalagem

TO-247-4

Specifications & Application Scenarios

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ENDEREÇO:

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