| Modelo |
AC3M0280090D |
|---|---|
| Descrição |
SiC MOSFET N-CH 900V 11A TO-247-3 |
| Série |
Silicon Carbide |
| FET Type |
N-Channel |
| DrainVoltage(Vdss) |
900V |
| Current |
11A |
| Drive Voltage |
15V |
| Vgs (Max) |
-8V, +19V |
| Rds On |
320mΩ |
| Vgs(th) |
2.7V |
| Gate Charge (Qg) |
7.7 nC |
| Input Capacitance (Ciss) |
153 pF |
| Power Dissipation |
47W |
| Temperatura de funcionamento (℃) |
-55°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem |
Furo passante |
| Embalagem |
TO-247-3 |
Specifications & Application Scenarios
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